GaN-on-Sapphire
GaNrich erweitert GaN-Leistungsbauelemente auf Spannungen von 40 V bis 1200 V
Die taiwanische GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauelemente aus Galliumnitrid (GaN) für Spannungen von 40 V bis 1200 V an…
GaNrich erweitert GaN-Leistungsbauelemente auf 40 V bis 1200 V
Die taiwanische GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauelemente auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Bereich von 40 V bis…
GaNrich erweitert GaN-Leistungshalbleiter-Portfolio auf 40 V bis 1200 V
Der taiwanische Hersteller GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauteile auf Basis von Galliumnitrid (GaN) im Bereich von 40 V bis…