GaNrich erweitert GaN-Leistungsbauelemente auf 40 V bis 1200 V
Die taiwanische GaNrich Semiconductor Corporation bietet nach eigenen Angaben nun Leistungsbauelemente auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Bereich von 40 V bis 1200 V an, gefertigt auf GaN-on-Si- und GaN-on-Sapphire-Plattformen. Das Unternehmen richtet das Angebot an KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge und Robotik und verweist zudem auf eine, wie es sagt, "nicht-rote" Lieferkette.
- Das GaN-Portfolio von GaNrich reicht nach Unternehmensangaben nun von 40 V bis 1200 V auf GaN-on-Si- und GaN-on-Sapphire-Plattformen.
- Zielanwendungen sind KI-Rechenzentren, BBUs, Robotik, Drohnen, EVs und OBCs.
- Das Unternehmen plant ein bidirektionales 1200-V-Schaltelement (BDS), einen Starttermin gibt es nicht.
- GaNrich wirbt mit einer "nicht-roten" Lieferkette auf Basis von Wafer-Fertigung und Packaging in Taiwan.
- Ausgewählte Produkte wurden laut Unternehmen von führenden internationalen Kunden aus Automobil, Energiespeicherung und Industrie validiert.
Voller Spannungsbereich auf zwei Wafer-Plattformen
Laut GaNrich sind sowohl die GaN-on-Si- als auch die GaN-on-Sapphire-Wafer-Plattform fertiggestellt. Das Portfolio umfasst Bauelemente für niedrige und mittlere Spannungen von 40 V bis 250 V sowie Hochvolt-Bauelemente von 650 V bis 1200 V. Als Zielanwendungen nennt das Unternehmen unter anderem KI-Rechenzentren, Backup Battery Units (BBUs), Robotik, Drohnen, Elektrofahrzeuge (EVs) und On-Board-Charger (OBCs).
GaNrich zufolge verbinden die Produkte schnelles Schalten, geringe Leitverluste und niedrige parasitäre Kapazitäten. Das gebe Entwicklern mehr Spielraum, um Effizienz und Leistungsdichte zu optimieren. Das Unternehmen beschreibt sich zudem als Komplettanbieter mit Maskendesign, fortschrittlichem Packaging, Integration von Systemmodulen und Zuverlässigkeitstests.
GaNrich bezeichnet sich als einen der wenigen Anbieter weltweit mit GaN-Abdeckung über den gesamten Spannungsbereich und derzeit als den einzigen GaN-Designer, der in Taiwan GaN-Produkte in Serienfertigung für Kundenvalidierungen liefern kann. Dabei handelt es sich um Aussagen des Unternehmens selbst.
Bauelemente für niedrige, mittlere und hohe Spannungen
Für den Bereich von 40 V bis 250 V bietet GaNrich nach eigenen Angaben fortschrittliche Gehäuselösungen, die zu bestehenden Standard-Siliziumbauelementen kompatibel sind. Das Unternehmen sieht sich bei der Entwicklung der Bauformen 5×6, 5×3 und 3×3 sowie bei der Optimierung der Lieferkette vorn und zielt auf Anwendungen, in denen herkömmliche Siliziumbauelemente an ihre Leistungsgrenzen stoßen. Gate-Treiber lassen sich zudem im selben Gehäuse integrieren, was laut Unternehmen das Schaltungsdesign vereinfacht und die Einführung beim Kunden beschleunigt.
Die Bauelemente von 650 V bis 1200 V sind für die Hochvolt-Leistungswandlung gedacht, darunter leistungsstarke Netzteile für KI-Rechenzentren, AC-DC-Wandlung und Elektrofahrzeuge. GaNrich zufolge unterstützt die Familie unterschiedliche Leistungstopologien, von DC-DC- und DC-AC-Wandlung im Niedrig- und Mittelspannungsbereich bis zu AC-DC- und DC-DC-Wandlung bei hohen Spannungen. Um den Entwicklungsaufwand zu senken, lassen sich die Bauelemente pinkompatibel als Drop-in-Ersatz für herkömmliche Siliziumkomponenten einsetzen.
Das Unternehmen weist außerdem darauf hin, dass mit der Weiterentwicklung der Leistungstopologien bestimmte GaN-Bauelemente in Anwendungsfelder von Siliziumkarbid (SiC) vordringen können. GaNrich plant, ein bidirektionales 1200-V-Schaltelement (BDS) auf den Markt zu bringen, das nach Angaben des Unternehmens die Zahl der Systemkomponenten verringern und die Spannungsreserve im Design erhöhen kann. Das ermögliche einstufige Leistungswandlungsarchitekturen und erfülle die Anforderungen künftiger Leistungstopologien. Einen Starttermin nannte das Unternehmen nicht.
Nicht-rote Lieferkette und Kundenvalidierung
GaNrich stellt seine Lieferkette als Verkaufsargument heraus. Der globale GaN-Markt konzentriere sich derzeit stark auf Lieferketten in China, während europäische und US-amerikanische Kunden weiterhin Bedarf an neuen eigenen Kapazitäten hätten. Das Unternehmen sagt, es koordiniere die taiwanischen Ressourcen für GaN-Wafer-Fertigung und Packaging und arbeite mit globalen Partnern an einem Ökosystem für die Produktentwicklung. Ziel sei es laut GaNrich, Kunden eine wettbewerbsfähige und diversifizierte "nicht-rote" Lieferkettenoption zu bieten.
Zur Marktakzeptanz erklärt das Unternehmen, seine GaN-Produkte fänden zunehmend Eingang in globale Märkte. Ausgewählte Produkte seien von führenden internationalen Kunden validiert worden, mit Anwendungen in der Automobilindustrie, bei Energiespeichern und im Industriebereich. Das belege die Wettbewerbsfähigkeit bei Leistung, Zuverlässigkeit, Kapazität und Fertigbarkeit, so GaNrich. Die Kunden werden in der Mitteilung nicht genannt, Leistungsdaten fehlen ebenfalls.
Was das für Abnehmer bedeutet
Für Entwickler von Leistungselektronik zeigt die Ankündigung einen weiteren Anbieter, der GaN für niedrige, mittlere und hohe Spannungen im Programm hat, mit Drop-in-Gehäusen, die den Umstieg von Silizium erleichtern sollen. Für Abnehmer in Europa und den USA, die ihre GaN-Bezugsquellen jenseits von China diversifizieren wollen, positioniert sich GaNrich mit Fertigung in Taiwan als Alternative. Die Angaben stammen vom Unternehmen selbst, und das bidirektionale 1200-V-Schaltelement ist bislang eine Planung und kein lieferbares Produkt. Interessierte Kunden können das Vertriebsteam von GaNrich über die in der Mitteilung genannten Kontaktdaten erreichen.
